Справочник MOSFET. IRLBL1304

 

IRLBL1304 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLBL1304
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 185 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 350 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: SUPERD2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLBL1304 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  international rectifier
 irlbl1304.pdf pdf_icon

IRLBL1304

PD- 91843AIRLBL1304HEXFET Power MOSFET >1mm lower profile than D2PakD Same footprint as D2pakVDSS = 40V Logic Level Gate Surface mountRDS(on) = 0.0045 Ultra Low On-ResistanceG Fully Avalanche RatedID = 185A 50% greater current in typ. applicationScondition vs. D2PakDescriptionThe HEXFET MOSFET is the most popular power MOSFET in the world.This parti

Другие MOSFET... IRL640A , IRL640S , IRL641 , IRLBA1304 , IRLBA1304P , IRLBA3803 , IRLBA3803P , 7N65L-TF3-T , IRFP064N , IRLD014 , IRLD024 , IRLD110 , IRLD120 , IRLI2203N , IRLI2505 , IRLI2910 , IRLI3705N .

History: IRCP140 | AFN3015S | MCH3486 | IRFI630B | LP2301BLT3G | PHP60N06LT | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.