IRLBL1304 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRLBL1304
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 185 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 350 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: SUPERD2PAK
Аналог (замена) для IRLBL1304
IRLBL1304 Datasheet (PDF)
irlbl1304.pdf

PD- 91843AIRLBL1304HEXFET Power MOSFET >1mm lower profile than D2PakD Same footprint as D2pakVDSS = 40V Logic Level Gate Surface mountRDS(on) = 0.0045 Ultra Low On-ResistanceG Fully Avalanche RatedID = 185A 50% greater current in typ. applicationScondition vs. D2PakDescriptionThe HEXFET MOSFET is the most popular power MOSFET in the world.This parti
Другие MOSFET... IRL640A , IRL640S , IRL641 , IRLBA1304 , IRLBA1304P , IRLBA3803 , IRLBA3803P , 7N65L-TF3-T , AO3407 , IRLD014 , IRLD024 , IRLD110 , IRLD120 , IRLI2203N , IRLI2505 , IRLI2910 , IRLI3705N .
History: FHP3710C | FHP100N03A | FHP3205C | FHP40N20A | FHU2N65D | FHF4N90A
History: FHP3710C | FHP100N03A | FHP3205C | FHP40N20A | FHU2N65D | FHF4N90A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70