Справочник MOSFET. IRLBL1304

 

IRLBL1304 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLBL1304
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 185 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 350 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: SUPERD2PAK
 

 Аналог (замена) для IRLBL1304

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLBL1304 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  international rectifier
 irlbl1304.pdf pdf_icon

IRLBL1304

PD- 91843AIRLBL1304HEXFET Power MOSFET >1mm lower profile than D2PakD Same footprint as D2pakVDSS = 40V Logic Level Gate Surface mountRDS(on) = 0.0045 Ultra Low On-ResistanceG Fully Avalanche RatedID = 185A 50% greater current in typ. applicationScondition vs. D2PakDescriptionThe HEXFET MOSFET is the most popular power MOSFET in the world.This parti

Другие MOSFET... IRL640A , IRL640S , IRL641 , IRLBA1304 , IRLBA1304P , IRLBA3803 , IRLBA3803P , 7N65L-TF3-T , 2SK3918 , IRLD014 , IRLD024 , IRLD110 , IRLD120 , IRLI2203N , IRLI2505 , IRLI2910 , IRLI3705N .

History: BUP63 | IXTP28P065T | BUK9880-55 | 2SJ302 | IXTM6N90A | WSR80N10 | FDMS6673BZ

 

 
Back to Top

 


 
.