IRLBL1304. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLBL1304

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 185 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 350 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: SUPERD2PAK

Аналог (замена) для IRLBL1304

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLBL1304 даташит

 ..1. Size:175K  international rectifier
 irlbl1304.pdf pdf_icon

IRLBL1304

PD- 91843A IRLBL1304 HEXFET Power MOSFET >1mm lower profile than D2Pak D Same footprint as D2pak VDSS = 40V Logic Level Gate Surface mount RDS(on) = 0.0045 Ultra Low On-Resistance G Fully Avalanche Rated ID = 185A 50% greater current in typ. application S condition vs. D2Pak Description The HEXFET MOSFET is the most popular power MOSFET in the world. This parti

Другие IGBT... IRL640A, IRL640S, IRL641, IRLBA1304, IRLBA1304P, IRLBA3803, IRLBA3803P, 7N65L-TF3-T, EMB04N03H, IRLD014, IRLD024, IRLD110, IRLD120, IRLI2203N, IRLI2505, IRLI2910, IRLI3705N