IRLD014 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLD014
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: HD-1
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IRLD014 datasheet
irld014pbf.pdf
PD-95978 IRLD014PbF Lead-Free 12/20/04 Document Number 91307 www.vishay.com 1 IRLD014PbF Document Number 91307 www.vishay.com 2 IRLD014PbF Document Number 91307 www.vishay.com 3 IRLD014PbF Document Number 91307 www.vishay.com 4 IRLD014PbF Document Number 91307 www.vishay.com 5 IRLD014PbF Document Number 91307 www.vishay.com 6 IRLD014PbF Peak Diode Recovery
irld014 sihld014.pdf
IRLD014, SiHLD014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.20 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 8.4 COMPLIANT Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 2.6 Qgd (nC) 6.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single 175 C Operating Temperature
irld014pbf sihld014.pdf
IRLD014, SiHLD014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.20 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 8.4 COMPLIANT Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 2.6 Qgd (nC) 6.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single 175 C Operating Temperature
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Liste
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