Справочник MOSFET. IRLD014

 

IRLD014 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLD014
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.4(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: HD-1

 Аналог (замена) для IRLD014

 

 

IRLD014 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  international rectifier
 irld014.pdf

IRLD014 IRLD014

 ..2. Size:1789K  international rectifier
 irld014pbf.pdf

IRLD014 IRLD014

PD-95978IRLD014PbF Lead-Free12/20/04Document Number: 91307 www.vishay.com1IRLD014PbFDocument Number: 91307 www.vishay.com2IRLD014PbFDocument Number: 91307 www.vishay.com3IRLD014PbFDocument Number: 91307 www.vishay.com4IRLD014PbFDocument Number: 91307 www.vishay.com5IRLD014PbFDocument Number: 91307 www.vishay.com6IRLD014PbFPeak Diode Recovery

 ..3. Size:1724K  vishay
 irld014 sihld014.pdf

IRLD014 IRLD014

IRLD014, SiHLD014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 5 V 0.20RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 8.4 COMPLIANT Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 2.6Qgd (nC) 6.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single 175 C Operating Temperature

 ..4. Size:1725K  vishay
 irld014pbf sihld014.pdf

IRLD014 IRLD014

IRLD014, SiHLD014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 5 V 0.20RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 8.4 COMPLIANT Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 2.6Qgd (nC) 6.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single 175 C Operating Temperature

 9.1. Size:170K  international rectifier
 irld024.pdf

IRLD014 IRLD014

 9.2. Size:1763K  international rectifier
 irld024pbf.pdf

IRLD014 IRLD014

PD- 95981IRLD024PbF Lead-Free12/21/04Document Number: 91308 www.vishay.com1IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com2IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com3IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com4IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com5IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com6IRLD024PbFPeak Diode Recovery

 9.3. Size:1692K  vishay
 irld024 sihld024.pdf

IRLD014 IRLD014

IRLD024, SiHLD024Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.10RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 4.5Qgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single 175 C Operating Temperature

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top