IRLD024 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLD024
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: HD-1
Búsqueda de reemplazo de IRLD024 MOSFET
IRLD024 Datasheet (PDF)
irld024pbf.pdf
PD- 95981IRLD024PbF Lead-Free12/21/04Document Number: 91308 www.vishay.com1IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com2IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com3IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com4IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com5IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com6IRLD024PbFPeak Diode Recovery
irld024 sihld024.pdf
IRLD024, SiHLD024Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.10RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 4.5Qgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single 175 C Operating Temperature
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Liste
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