IRLD024. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLD024

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: HD-1

Аналог (замена) для IRLD024

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLD024 даташит

 ..1. Size:170K  international rectifier
 irld024.pdf pdf_icon

IRLD024

 ..2. Size:1763K  international rectifier
 irld024pbf.pdf pdf_icon

IRLD024

PD- 95981 IRLD024PbF Lead-Free 12/21/04 Document Number 91308 www.vishay.com 1 IRLD024PbF Document Number 91308 www.vishay.com 2 IRLD024PbF Document Number 91308 www.vishay.com 3 IRLD024PbF Document Number 91308 www.vishay.com 4 IRLD024PbF Document Number 91308 www.vishay.com 5 IRLD024PbF Document Number 91308 www.vishay.com 6 IRLD024PbF Peak Diode Recovery

 ..3. Size:1692K  vishay
 irld024 sihld024.pdf pdf_icon

IRLD024

IRLD024, SiHLD024 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.10 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 18 COMPLIANT Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 4.5 Qgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single 175 C Operating Temperature

 9.1. Size:172K  international rectifier
 irld014.pdf pdf_icon

IRLD024

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRL641, IRLBA1304, IRLBA1304P, IRLBA3803, IRLBA3803P, 7N65L-TF3-T, IRLBL1304, IRLD014, MMIS60R580P, IRLD110, IRLD120, IRLI2203N, IRLI2505, IRLI2910, IRLI3705N, IRLI3803, IRLI510A