Справочник MOSFET. IRLD024

 

IRLD024 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLD024
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: HD-1
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLD024 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  international rectifier
 irld024.pdf pdf_icon

IRLD024

 ..2. Size:1763K  international rectifier
 irld024pbf.pdf pdf_icon

IRLD024

PD- 95981IRLD024PbF Lead-Free12/21/04Document Number: 91308 www.vishay.com1IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com2IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com3IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com4IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com5IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com6IRLD024PbFPeak Diode Recovery

 ..3. Size:1692K  vishay
 irld024 sihld024.pdf pdf_icon

IRLD024

IRLD024, SiHLD024Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.10RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 4.5Qgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single 175 C Operating Temperature

 9.1. Size:172K  international rectifier
 irld014.pdf pdf_icon

IRLD024

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRL641 , IRLBA1304 , IRLBA1304P , IRLBA3803 , IRLBA3803P , 7N65L-TF3-T , IRLBL1304 , IRLD014 , AO4468 , IRLD110 , IRLD120 , IRLI2203N , IRLI2505 , IRLI2910 , IRLI3705N , IRLI3803 , IRLI510A .

History: NCEP023N10D | AO6804A | SSP7N80A | IXTH160N075T | WMJ38N60C2 | APM4550K | LSE60R092GT

 

 
Back to Top

 


 
.