IRLD110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLD110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm

Encapsulados: HD-1

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IRLD110 datasheet

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IRLD110

PD-95980 IRLD110PbF Lead-Free 12/20/04 Document Number 91309 www.vishay.com 1 IRLD110PbF Document Number 91309 www.vishay.com 2 IRLD110PbF Document Number 91309 www.vishay.com 3 IRLD110PbF Document Number 91309 www.vishay.com 4 IRLD110PbF Document Number 91309 www.vishay.com 5 IRLD110PbF Document Number 91309 www.vishay.com 6 IRLD110PbF Peak Diode Recovery

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IRLD110

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IRLD110

IRLD110, SiHLD110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.54 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 6.1 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.6 Qgd (nC) 3.3 Logic-Level Gate Drive Configuration Single RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

 9.1. Size:1774K  international rectifier
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IRLD110

PD-95979 IRLD120PbF Lead-Free 12/20/04 Document Number 91310 www.vishay.com 1 IRLD120PbF Document Number 91310 www.vishay.com 2 IRLD120PbF Document Number 91310 www.vishay.com 3 IRLD120PbF Document Number 91310 www.vishay.com 4 IRLD120PbF Document Number 91310 www.vishay.com 5 IRLD120PbF Document Number 91310 www.vishay.com 6 IRLD120PbF Peak Diode Recovery

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