IRLD110 Todos los transistores

 

IRLD110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLD110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.1(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm
   Paquete / Cubierta: HD-1
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRLD110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1765K  international rectifier
 irld110pbf.pdf pdf_icon

IRLD110

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 ..2. Size:169K  international rectifier
 irld110.pdf pdf_icon

IRLD110

 ..3. Size:1607K  vishay
 irld110 sihld110.pdf pdf_icon

IRLD110

IRLD110, SiHLD110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.54RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 6.1COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.6Qgd (nC) 3.3 Logic-Level Gate DriveConfiguration Single RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

 9.1. Size:1774K  international rectifier
 irld120pbf.pdf pdf_icon

IRLD110

PD-95979IRLD120PbF Lead-Free12/20/04Document Number: 91310 www.vishay.com1IRLD120PbFDocument Number: 91310 www.vishay.com2IRLD120PbFDocument Number: 91310 www.vishay.com3IRLD120PbFDocument Number: 91310 www.vishay.com4IRLD120PbFDocument Number: 91310 www.vishay.com5IRLD120PbFDocument Number: 91310 www.vishay.com6IRLD120PbFPeak Diode Recovery

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History: NTS4409N | SVF13N50S | SQJ431EP | 2SK2556 | PJD4NA70 | STL86N3LLH6AG | BRCS400P03SC

 

 
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