Справочник MOSFET. IRLD110

 

IRLD110 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLD110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.1(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
   Тип корпуса: HD-1

 Аналог (замена) для IRLD110

 

 

IRLD110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1765K  international rectifier
 irld110pbf.pdf

IRLD110 IRLD110

PD-95980IRLD110PbF Lead-Free12/20/04Document Number: 91309 www.vishay.com1IRLD110PbFDocument Number: 91309 www.vishay.com2IRLD110PbFDocument Number: 91309 www.vishay.com3IRLD110PbFDocument Number: 91309 www.vishay.com4IRLD110PbFDocument Number: 91309 www.vishay.com5IRLD110PbFDocument Number: 91309 www.vishay.com6IRLD110PbFPeak Diode Recovery

 ..2. Size:169K  international rectifier
 irld110.pdf

IRLD110 IRLD110

 ..3. Size:1607K  vishay
 irld110 sihld110.pdf

IRLD110 IRLD110

IRLD110, SiHLD110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.54RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 6.1COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.6Qgd (nC) 3.3 Logic-Level Gate DriveConfiguration Single RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

 9.1. Size:1774K  international rectifier
 irld120pbf.pdf

IRLD110 IRLD110

PD-95979IRLD120PbF Lead-Free12/20/04Document Number: 91310 www.vishay.com1IRLD120PbFDocument Number: 91310 www.vishay.com2IRLD120PbFDocument Number: 91310 www.vishay.com3IRLD120PbFDocument Number: 91310 www.vishay.com4IRLD120PbFDocument Number: 91310 www.vishay.com5IRLD120PbFDocument Number: 91310 www.vishay.com6IRLD120PbFPeak Diode Recovery

 9.2. Size:169K  international rectifier
 irld120.pdf

IRLD110 IRLD110

 9.3. Size:1675K  vishay
 irld120 sihld120.pdf

IRLD110 IRLD110

IRLD120, SiHLD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 End StackableQgs (nC) 3.0 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 7.1 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single

 9.4. Size:1677K  vishay
 irld120pbf sihld120.pdf

IRLD110 IRLD110

IRLD120, SiHLD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 End StackableQgs (nC) 3.0 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 7.1 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top