SIHG64N65E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHG64N65E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 122 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 366 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm

Encapsulados: TO-247AC

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SIHG64N65E datasheet

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SIHG64N65E

SiHG64N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.047 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 369 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 66 Qgd (nC) 93 Avalanche energy rated (UIS) Co

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