Справочник MOSFET. SIHG64N65E

 

SIHG64N65E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHG64N65E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 122 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 366 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC
 

 Аналог (замена) для SIHG64N65E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHG64N65E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  vishay
 sihg64n65e.pdf pdf_icon

SIHG64N65E

SiHG64N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.047 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 369 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 66Qgd (nC) 93 Avalanche energy rated (UIS)Co

Другие MOSFET... SIHG32N50D , SIHG33N60E , SIHG33N60EF , SIHG460B , SIHG47N60E , SIHG47N60EF , SIHG47N60S , SIHG47N65E , IRF830 , SIHG73N60E , SIHH11N60E , SIHH14N60E , SIHH21N60E , SIHH26N60E , SIHL510 , SIHL510S , SIHL520 .

History: 2SK3683-01MR | FQU20N06L | JMSL0603PG

 

 
Back to Top

 


 
.