SIHG64N65E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHG64N65E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 122 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 366 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для SIHG64N65E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHG64N65E даташит

 ..1. Size:147K  vishay
 sihg64n65e.pdf pdf_icon

SIHG64N65E

SiHG64N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.047 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 369 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 66 Qgd (nC) 93 Avalanche energy rated (UIS) Co

Другие IGBT... SIHG32N50D, SIHG33N60E, SIHG33N60EF, SIHG460B, SIHG47N60E, SIHG47N60EF, SIHG47N60S, SIHG47N65E, 2N60, SIHG73N60E, SIHH11N60E, SIHH14N60E, SIHH21N60E, SIHH26N60E, SIHL510, SIHL510S, SIHL520