SIHH11N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHH11N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.339 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK8X8

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SIHH11N60E Datasheet (PDF)

..1. Size:152K vishay
sihh11n60e.pdf

SiHH11N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Fully lead (Pb)-free deviceVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgRDS(on) typ. () at 25 C VGS = 10 V 0.295 Low input capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 62 Reduced switching and conduction lossesQgs (nC) 7Qgd (nC) 13 Ultra low gate charge (Qg)Confi

9.1. Size:136K vishay
sihh180n60e.pdf

SiHH180N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPin 4: drain 4th generation E series technologyPowerPAK 8 x 8 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgPin 1: Low effective capacitance (Co(er))gate4 Reduced switching and conduction losses1 Avalanche energy rated (UIS)Pin 2:2 Kelvin connection Kelvin connection for reduced gate

9.2. Size:152K vishay
sihh14n60e.pdf

SiHH14N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Fully lead (Pb)-free deviceVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgRDS(on) typ. () at 25 C VGS = 10 V 0.220 Low input capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 82 Reduced switching and conduction lossesQgs (nC) 8Qgd (nC) 16 Ultra low gate charge (Qg)Confi

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: P3710BTF | P3506ED | ATP218

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: