SIHH11N60E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SIHH11N60E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.339 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK8X8
Аналог (замена) для SIHH11N60E
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHH11N60E даташит
sihh11n60e.pdf
SiHH11N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Fully lead (Pb)-free device VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg RDS(on) typ. ( ) at 25 C VGS = 10 V 0.295 Low input capacitance (Ciss) Qg max. (nC) 62 Reduced switching and conduction losses Qgs (nC) 7 Qgd (nC) 13 Ultra low gate charge (Qg) Confi
sihh180n60e.pdf
SiHH180N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES Pin 4 drain 4th generation E series technology PowerPAK 8 x 8 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Pin 1 Low effective capacitance (Co(er)) gate 4 Reduced switching and conduction losses 1 Avalanche energy rated (UIS) Pin 2 2 Kelvin connection Kelvin connection for reduced gate
sihh14n60e.pdf
SiHH14N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Fully lead (Pb)-free device VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg RDS(on) typ. ( ) at 25 C VGS = 10 V 0.220 Low input capacitance (Ciss) Qg max. (nC) 82 Reduced switching and conduction losses Qgs (nC) 8 Qgd (nC) 16 Ultra low gate charge (Qg) Confi
Другие IGBT... SIHG33N60EF, SIHG460B, SIHG47N60E, SIHG47N60EF, SIHG47N60S, SIHG47N65E, SIHG64N65E, SIHG73N60E, P60NF06, SIHH14N60E, SIHH21N60E, SIHH26N60E, SIHL510, SIHL510S, SIHL520, SIHL520L, SIHL530
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor



