SIHH11N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIHH11N60E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
trⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.339 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK8X8
Аналог (замена) для SIHH11N60E
SIHH11N60E Datasheet (PDF)
sihh11n60e.pdf
SiHH11N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Fully lead (Pb)-free deviceVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgRDS(on) typ. () at 25 C VGS = 10 V 0.295 Low input capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 62 Reduced switching and conduction lossesQgs (nC) 7Qgd (nC) 13 Ultra low gate charge (Qg)Confi
sihh180n60e.pdf
SiHH180N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPin 4: drain 4th generation E series technologyPowerPAK 8 x 8 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgPin 1: Low effective capacitance (Co(er))gate4 Reduced switching and conduction losses1 Avalanche energy rated (UIS)Pin 2:2 Kelvin connection Kelvin connection for reduced gate
sihh14n60e.pdf
SiHH14N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Fully lead (Pb)-free deviceVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgRDS(on) typ. () at 25 C VGS = 10 V 0.220 Low input capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 82 Reduced switching and conduction lossesQgs (nC) 8Qgd (nC) 16 Ultra low gate charge (Qg)Confi
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
