SIHS20N50C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHS20N50C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: SUPER-247

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SIHS20N50C datasheet

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SIHS20N50C

SiHS20N50C Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 560 100 % Avalanche Tested RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.270 High Peak Current Capability Qg (Max.) (nC) 76 dV/dt Ruggedness Qgs (nC) 21 Improved trr/Qrr Qgd (nC) 34 Improved Gate Charge Configuration Single High Power Dissipations Capability

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