Справочник MOSFET. SIHS20N50C

 

SIHS20N50C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHS20N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: SUPER-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHS20N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  vishay
 sihs20n50c.pdf pdf_icon

SIHS20N50C

SiHS20N50CVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x QgVDS (V) at TJ max. 560 100 % Avalanche TestedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.270 High Peak Current CapabilityQg (Max.) (nC) 76 dV/dt RuggednessQgs (nC) 21 Improved trr/QrrQgd (nC) 34 Improved Gate ChargeConfiguration Single High Power Dissipations Capability

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCE65TF180F | SMK0460D | IRFIB5N50LPBF | NTP2955 | 2SK2362 | PMN70XPE | LR024N

 

 
Back to Top

 


 
.