SIHS20N50C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHS20N50C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: SUPER-247

Аналог (замена) для SIHS20N50C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHS20N50C даташит

 ..1. Size:145K  vishay
 sihs20n50c.pdf pdf_icon

SIHS20N50C

SiHS20N50C Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 560 100 % Avalanche Tested RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.270 High Peak Current Capability Qg (Max.) (nC) 76 dV/dt Ruggedness Qgs (nC) 21 Improved trr/Qrr Qgd (nC) 34 Improved Gate Charge Configuration Single High Power Dissipations Capability

Другие IGBT... SIHP30N60E, SIHP33N60E, SIHP33N60EF, SIHP5N50D, SIHP6N40D, SIHP6N65E, SIHP7N60E, SIHP8N50D, AO4407, SIHS36N50D, SIHU3N50D, SIHU3N50DA, SIHU5N50D, SIHU6N62E, SIHU6N65E, SIHU7N60E, SIHW30N60E