Справочник MOSFET. SIHS20N50C

 

SIHS20N50C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHS20N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: SUPER-247
 

 Аналог (замена) для SIHS20N50C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHS20N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  vishay
 sihs20n50c.pdf pdf_icon

SIHS20N50C

SiHS20N50CVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x QgVDS (V) at TJ max. 560 100 % Avalanche TestedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.270 High Peak Current CapabilityQg (Max.) (nC) 76 dV/dt RuggednessQgs (nC) 21 Improved trr/QrrQgd (nC) 34 Improved Gate ChargeConfiguration Single High Power Dissipations Capability

Другие MOSFET... SIHP30N60E , SIHP33N60E , SIHP33N60EF , SIHP5N50D , SIHP6N40D , SIHP6N65E , SIHP7N60E , SIHP8N50D , P60NF06 , SIHS36N50D , SIHU3N50D , SIHU3N50DA , SIHU5N50D , SIHU6N62E , SIHU6N65E , SIHU7N60E , SIHW30N60E .

History: APT30M19JVFR | IRL5602S

 

 
Back to Top

 


 
.