SIHS36N50D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHS36N50D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 446 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 89 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: SUPER-247

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SIHS36N50D datasheet

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SIHS36N50D

SiHS36N50D www.vishay.com Vishay Siliconix D Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Optimal Design VDS (V) at TJ max. 550 - Low Area specific On-Resistance RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.130 - Low Input Capacitance (Ciss) Qg max. (nC) 125 - Reduced Capacitive Switching Losses Qgs (nC) 23 - High Body Diode Ruggedness Qgd (nC) 37 - Avalanche Energy Rated (UIS)

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