SIHS36N50D - описание и поиск аналогов

 

Аналоги SIHS36N50D. Основные параметры


   Наименование производителя: SIHS36N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 89 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SUPER-247
 

 Аналог (замена) для SIHS36N50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHS36N50D даташит

 ..1. Size:168K  vishay
 sihs36n50d.pdf pdf_icon

SIHS36N50D

SiHS36N50D www.vishay.com Vishay Siliconix D Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Optimal Design VDS (V) at TJ max. 550 - Low Area specific On-Resistance RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.130 - Low Input Capacitance (Ciss) Qg max. (nC) 125 - Reduced Capacitive Switching Losses Qgs (nC) 23 - High Body Diode Ruggedness Qgd (nC) 37 - Avalanche Energy Rated (UIS)

Другие MOSFET... SIHP33N60E , SIHP33N60EF , SIHP5N50D , SIHP6N40D , SIHP6N65E , SIHP7N60E , SIHP8N50D , SIHS20N50C , BS170 , SIHU3N50D , SIHU3N50DA , SIHU5N50D , SIHU6N62E , SIHU6N65E , SIHU7N60E , SIHW30N60E , SIHW33N60E .

History: JMSL1018PK | SVSP60R033P7HD4 | JMTG3003A | 2N60L-TF3T-T | NCEP1520 | AOI21357

 

 
Back to Top

 


 
.