Справочник MOSFET. SIHS36N50D

 

SIHS36N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHS36N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 83 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 89 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SUPER-247
 

 Аналог (замена) для SIHS36N50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHS36N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  vishay
 sihs36n50d.pdf pdf_icon

SIHS36N50D

SiHS36N50Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 550- Low Area specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.130- Low Input Capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 125- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 23- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 37- Avalanche Energy Rated (UIS)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FXN4N65D

 

 
Back to Top

 


 
.