SIHU3N50D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHU3N50D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm

Encapsulados: TO-251

 Búsqueda de reemplazo de SIHU3N50D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SIHU3N50D datasheet

 ..1. Size:179K  vishay
 sihu3n50d.pdf pdf_icon

SIHU3N50D

SiHU3N50D www.vishay.com Vishay Siliconix D Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Optimal Design VDS (V) at TJ max. 550 - Low Area Specific On-Resistance RDS(on) max. ( ) at 25 C VGS = 10 V 3.2 - Low Input Capacitance (Ciss) Qg (max.) (nC) 20 - Reduced Capacitive Switching Losses Qgs (nC) 3 - High Body Diode Ruggedness Qgd (nC) 5 - Avalanche Energy Rated (UIS)

 0.1. Size:123K  vishay
 sihu3n50da.pdf pdf_icon

SIHU3N50D

SiHU3N50DA www.vishay.com Vishay Siliconix D Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Optimal design VDS (V) at TJ max. 550 - Low area specific on-resistance RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 3.2 - Low input capacitance (Ciss) Qg (max.) (nC) 12 - Reduced capacitive switching losses Qgs (nC) 2 - High body diode ruggedness Qgd (nC) 3 - Avalanche energy rated (UIS) Co

Otros transistores... SIHP33N60EF, SIHP5N50D, SIHP6N40D, SIHP6N65E, SIHP7N60E, SIHP8N50D, SIHS20N50C, SIHS36N50D, 4N60, SIHU3N50DA, SIHU5N50D, SIHU6N62E, SIHU6N65E, SIHU7N60E, SIHW30N60E, SIHW33N60E, SIHW47N60E