Справочник MOSFET. SIHU3N50D

 

SIHU3N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHU3N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для SIHU3N50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHU3N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  vishay
 sihu3n50d.pdf pdf_icon

SIHU3N50D

SiHU3N50Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 550- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 3.2- Low Input Capacitance (Ciss)Qg (max.) (nC) 20- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 3- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 5 - Avalanche Energy Rated (UIS)

 0.1. Size:123K  vishay
 sihu3n50da.pdf pdf_icon

SIHU3N50D

SiHU3N50DAwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal designVDS (V) at TJ max. 550- Low area specific on-resistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 3.2- Low input capacitance (Ciss)Qg (max.) (nC) 12- Reduced capacitive switching lossesQgs (nC) 2- High body diode ruggednessQgd (nC) 3- Avalanche energy rated (UIS)Co

Другие MOSFET... SIHP33N60EF , SIHP5N50D , SIHP6N40D , SIHP6N65E , SIHP7N60E , SIHP8N50D , SIHS20N50C , SIHS36N50D , 10N65 , SIHU3N50DA , SIHU5N50D , SIHU6N62E , SIHU6N65E , SIHU7N60E , SIHW30N60E , SIHW33N60E , SIHW47N60E .

History: APQ06SN60A

 

 
Back to Top

 


 
.