SIHU3N50DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHU3N50DA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHU3N50DA

SIHU3N50DA Datasheet (PDF)

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sihu3n50da.pdf

SiHU3N50DAwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal designVDS (V) at TJ max. 550- Low area specific on-resistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 3.2- Low input capacitance (Ciss)Qg (max.) (nC) 12- Reduced capacitive switching lossesQgs (nC) 2- High body diode ruggednessQgd (nC) 3- Avalanche energy rated (UIS)Co

5.1. Size:179K vishay
sihu3n50d.pdf

SiHU3N50Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 550- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 3.2- Low Input Capacitance (Ciss)Qg (max.) (nC) 20- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 3- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 5 - Avalanche Energy Rated (UIS)

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Liste

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