Справочник MOSFET. SIHU3N50DA

 

SIHU3N50DA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHU3N50DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для SIHU3N50DA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHU3N50DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  vishay
 sihu3n50da.pdf pdf_icon

SIHU3N50DA

SiHU3N50DAwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal designVDS (V) at TJ max. 550- Low area specific on-resistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 3.2- Low input capacitance (Ciss)Qg (max.) (nC) 12- Reduced capacitive switching lossesQgs (nC) 2- High body diode ruggednessQgd (nC) 3- Avalanche energy rated (UIS)Co

 5.1. Size:179K  vishay
 sihu3n50d.pdf pdf_icon

SIHU3N50DA

SiHU3N50Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 550- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 3.2- Low Input Capacitance (Ciss)Qg (max.) (nC) 20- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 3- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 5 - Avalanche Energy Rated (UIS)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: H2301 | AP02N90I-HF

 

 
Back to Top

 


 
.