SIHU3N50DA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHU3N50DA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для SIHU3N50DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHU3N50DA даташит

 ..1. Size:123K  vishay
 sihu3n50da.pdf pdf_icon

SIHU3N50DA

SiHU3N50DA www.vishay.com Vishay Siliconix D Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Optimal design VDS (V) at TJ max. 550 - Low area specific on-resistance RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 3.2 - Low input capacitance (Ciss) Qg (max.) (nC) 12 - Reduced capacitive switching losses Qgs (nC) 2 - High body diode ruggedness Qgd (nC) 3 - Avalanche energy rated (UIS) Co

 5.1. Size:179K  vishay
 sihu3n50d.pdf pdf_icon

SIHU3N50DA

SiHU3N50D www.vishay.com Vishay Siliconix D Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Optimal Design VDS (V) at TJ max. 550 - Low Area Specific On-Resistance RDS(on) max. ( ) at 25 C VGS = 10 V 3.2 - Low Input Capacitance (Ciss) Qg (max.) (nC) 20 - Reduced Capacitive Switching Losses Qgs (nC) 3 - High Body Diode Ruggedness Qgd (nC) 5 - Avalanche Energy Rated (UIS)

Другие IGBT... SIHP5N50D, SIHP6N40D, SIHP6N65E, SIHP7N60E, SIHP8N50D, SIHS20N50C, SIHS36N50D, SIHU3N50D, IRFP250, SIHU5N50D, SIHU6N62E, SIHU6N65E, SIHU7N60E, SIHW30N60E, SIHW33N60E, SIHW47N60E, SIHW73N60E