SIHW33N60E Todos los transistores

 

SIHW33N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHW33N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AD
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIHW33N60E Datasheet (PDF)

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SIHW33N60E

SiHW33N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM): Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.099 Reducted Switching and Conduction LossesQg (Max.) (nC) 150 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 24Qgd (nC) 42 Avalanche Energy Rated (UIS

 9.1. Size:130K  vishay
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SIHW33N60E

SiHW30N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.125 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 130 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 15 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 39

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