Справочник MOSFET. SIHW33N60E

 

SIHW33N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHW33N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 100 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AD
 

 Аналог (замена) для SIHW33N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHW33N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  vishay
 sihw33n60e.pdf pdf_icon

SIHW33N60E

SiHW33N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM): Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.099 Reducted Switching and Conduction LossesQg (Max.) (nC) 150 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 24Qgd (nC) 42 Avalanche Energy Rated (UIS

 9.1. Size:130K  vishay
 sihw30n60e.pdf pdf_icon

SIHW33N60E

SiHW30N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.125 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 130 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 15 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 39

Другие MOSFET... SIHS36N50D , SIHU3N50D , SIHU3N50DA , SIHU5N50D , SIHU6N62E , SIHU6N65E , SIHU7N60E , SIHW30N60E , IRFZ46N , SIHW47N60E , SIHW73N60E , FMA49N20T2 , FMB16N50E , FMB80N10T2 , FMC03N60E , FMC05N50E , FMC05N60E .

History: IRF1018ESPBF | L1N60

 

 
Back to Top

 


 
.