Справочник MOSFET. SIHW33N60E

 

SIHW33N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIHW33N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 278 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 33 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
   Время нарастания (tr): 60 ns
   Выходная емкость (Cd): 156 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AD

 Аналог (замена) для SIHW33N60E

 

 

SIHW33N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  vishay
 sihw33n60e.pdf

SIHW33N60E SIHW33N60E

SiHW33N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM): Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.099 Reducted Switching and Conduction LossesQg (Max.) (nC) 150 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 24Qgd (nC) 42 Avalanche Energy Rated (UIS

 9.1. Size:130K  vishay
 sihw30n60e.pdf

SIHW33N60E SIHW33N60E

SiHW30N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.125 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 130 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 15 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 39

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top