SIHW33N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHW33N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: TO-247AD

Аналог (замена) для SIHW33N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHW33N60E даташит

 ..1. Size:145K  vishay
 sihw33n60e.pdf pdf_icon

SIHW33N60E

SiHW33N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.099 Reducted Switching and Conduction Losses Qg (Max.) (nC) 150 Ultra Low Gate Charge (Qg) Qgs (nC) 24 Qgd (nC) 42 Avalanche Energy Rated (UIS

 9.1. Size:130K  vishay
 sihw30n60e.pdf pdf_icon

SIHW33N60E

Другие IGBT... SIHS36N50D, SIHU3N50D, SIHU3N50DA, SIHU5N50D, SIHU6N62E, SIHU6N65E, SIHU7N60E, SIHW30N60E, SI2302, SIHW47N60E, SIHW73N60E, FMA49N20T2, FMB16N50E, FMB80N10T2, FMC03N60E, FMC05N50E, FMC05N60E