SIHW73N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIHW73N60E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 73 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AD
Búsqueda de reemplazo de SIHW73N60E MOSFET
SIHW73N60E Datasheet (PDF)
sihw73n60e.pdf

SiHW73N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.039 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 362 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 48 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 98Co
Otros transistores... SIHU3N50DA , SIHU5N50D , SIHU6N62E , SIHU6N65E , SIHU7N60E , SIHW30N60E , SIHW33N60E , SIHW47N60E , RU6888R , FMA49N20T2 , FMB16N50E , FMB80N10T2 , FMC03N60E , FMC05N50E , FMC05N60E , FMC06N60ES , FMC07N50E .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP5N30D | AP5N20D-H | AP5N20D | AP5N15MSI | AP4959A | ATM2320KNSA | ATM2310NSA | ATM2305PSA | ATM2302NSA | ATM2301PSC | ATM2300NSA | ATM1205PSI | ATM10N65TF | ATM10N10SQ | ATM06P50TC | AP40H10NF
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