SIHW73N60E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIHW73N60E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
Тип корпуса: TO-247AD
Аналог (замена) для SIHW73N60E
SIHW73N60E Datasheet (PDF)
sihw73n60e.pdf
SiHW73N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.039 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 362 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 48 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 98Co
Другие MOSFET... SIHU3N50DA , SIHU5N50D , SIHU6N62E , SIHU6N65E , SIHU7N60E , SIHW30N60E , SIHW33N60E , SIHW47N60E , 18N50 , FMA49N20T2 , FMB16N50E , FMB80N10T2 , FMC03N60E , FMC05N50E , FMC05N60E , FMC06N60ES , FMC07N50E .
History: WMJ40N50D1 | WMP08N60C4 | SIHU7N60E | FMC05N60E | WML22N50C4
History: WMJ40N50D1 | WMP08N60C4 | SIHU7N60E | FMC05N60E | WML22N50C4
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM601LL | AGM6018A | AGM6014AP | AGM6014A | AGM55P10S | AGM55P10D | AGM55P10A | AGM55N15D | AGM55N15A | AGM502 | AGM500P20D | AGM435E | AGM425ME | AGM425MD | AGM425MC | AGM425MA
Popular searches
ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg


