SIHW73N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHW73N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: TO-247AD

Аналог (замена) для SIHW73N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHW73N60E даташит

 ..1. Size:229K  vishay
 sihw73n60e.pdf pdf_icon

SIHW73N60E

SiHW73N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.039 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 362 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 48 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 98 Co

Другие IGBT... SIHU3N50DA, SIHU5N50D, SIHU6N62E, SIHU6N65E, SIHU7N60E, SIHW30N60E, SIHW33N60E, SIHW47N60E, 18N50, FMA49N20T2, FMB16N50E, FMB80N10T2, FMC03N60E, FMC05N50E, FMC05N60E, FMC06N60ES, FMC07N50E