Справочник MOSFET. SIHW73N60E

 

SIHW73N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHW73N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 241 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AD
 

 Аналог (замена) для SIHW73N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHW73N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  vishay
 sihw73n60e.pdf pdf_icon

SIHW73N60E

SiHW73N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.039 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 362 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 48 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 98Co

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HBS170 | IXTV22N60PS

 

 
Back to Top

 


 
.