FMA49N20T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FMA49N20T2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 140 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

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FMA49N20T2 Datasheet (PDF)

..1. Size:351K fuji
fma49n20t2.pdf

SPECIFICATIONDevice Name : Power MOSFETType Name : FMA49N20T2Spec. No. :MS5F6123Date :Jun.-17-2005NAMEDATE APPROVEDFuji Electric Device Technology Co.,Ltd.DRAWN Jun.-17-'05aCHECKED Jun.-17-'05MS5F6123 1 / 19CHECKED Jun.-17-'05H04-004-05This m aterial and the inform ation herein is the p roperty of Fuji ElectricDevice Technology Co.,Ltd. They s hall be neither r

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Liste

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