FMA49N20T2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMA49N20T2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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FMA49N20T2 datasheet

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FMA49N20T2

SPECIFICATION Device Name Power MOSFET Type Name FMA49N20T2 Spec. No. MS5F6123 Date Jun.-17-2005 NAME DATE APPROVED Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. DRAWN Jun.-17-'05 a CHECKED Jun.-17-'05 MS5F6123 1 / 19 CHECKED Jun.-17-'05 H04-004-05 This m aterial and the inform ation herein is the p roperty of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They s hall be neither r

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