FMA49N20T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMA49N20T2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de FMA49N20T2 MOSFET
FMA49N20T2 Datasheet (PDF)
fma49n20t2.pdf

SPECIFICATIONDevice Name : Power MOSFETType Name : FMA49N20T2Spec. No. :MS5F6123Date :Jun.-17-2005NAMEDATE APPROVEDFuji Electric Device Technology Co.,Ltd.DRAWN Jun.-17-'05aCHECKED Jun.-17-'05MS5F6123 1 / 19CHECKED Jun.-17-'05H04-004-05This m aterial and the inform ation herein is the p roperty of Fuji ElectricDevice Technology Co.,Ltd. They s hall be neither r
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Liste
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