FMA49N20T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMA49N20T2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de FMA49N20T2 MOSFET
FMA49N20T2 Datasheet (PDF)
fma49n20t2.pdf
SPECIFICATIONDevice Name : Power MOSFETType Name : FMA49N20T2Spec. No. :MS5F6123Date :Jun.-17-2005NAMEDATE APPROVEDFuji Electric Device Technology Co.,Ltd.DRAWN Jun.-17-'05aCHECKED Jun.-17-'05MS5F6123 1 / 19CHECKED Jun.-17-'05H04-004-05This m aterial and the inform ation herein is the p roperty of Fuji ElectricDevice Technology Co.,Ltd. They s hall be neither r
Otros transistores... SIHU5N50D , SIHU6N62E , SIHU6N65E , SIHU7N60E , SIHW30N60E , SIHW33N60E , SIHW47N60E , SIHW73N60E , 20N50 , FMB16N50E , FMB80N10T2 , FMC03N60E , FMC05N50E , FMC05N60E , FMC06N60ES , FMC07N50E , FMC10N60E .
History: WMJ80N65F2 | WMO18P10TS | WMO22N50C4 | WMO90R1K5S
History: WMJ80N65F2 | WMO18P10TS | WMO22N50C4 | WMO90R1K5S
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM601LL | AGM6018A | AGM6014AP | AGM6014A | AGM55P10S | AGM55P10D | AGM55P10A | AGM55N15D | AGM55N15A | AGM502 | AGM500P20D | AGM435E | AGM425ME | AGM425MD | AGM425MC | AGM425MA
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