Справочник MOSFET. FMA49N20T2

 

FMA49N20T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMA49N20T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FMA49N20T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMA49N20T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  fuji
 fma49n20t2.pdf pdf_icon

FMA49N20T2

SPECIFICATIONDevice Name : Power MOSFETType Name : FMA49N20T2Spec. No. :MS5F6123Date :Jun.-17-2005NAMEDATE APPROVEDFuji Electric Device Technology Co.,Ltd.DRAWN Jun.-17-'05aCHECKED Jun.-17-'05MS5F6123 1 / 19CHECKED Jun.-17-'05H04-004-05This m aterial and the inform ation herein is the p roperty of Fuji ElectricDevice Technology Co.,Ltd. They s hall be neither r

Другие MOSFET... SIHU5N50D , SIHU6N62E , SIHU6N65E , SIHU7N60E , SIHW30N60E , SIHW33N60E , SIHW47N60E , SIHW73N60E , 2N60 , FMB16N50E , FMB80N10T2 , FMC03N60E , FMC05N50E , FMC05N60E , FMC06N60ES , FMC07N50E , FMC10N60E .

History: HUF76143P3 | FDS6675BZ

 

 
Back to Top

 


 
.