FMA49N20T2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMA49N20T2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FMA49N20T2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMA49N20T2 даташит

 ..1. Size:351K  fuji
 fma49n20t2.pdf pdf_icon

FMA49N20T2

SPECIFICATION Device Name Power MOSFET Type Name FMA49N20T2 Spec. No. MS5F6123 Date Jun.-17-2005 NAME DATE APPROVED Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. DRAWN Jun.-17-'05 a CHECKED Jun.-17-'05 MS5F6123 1 / 19 CHECKED Jun.-17-'05 H04-004-05 This m aterial and the inform ation herein is the p roperty of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They s hall be neither r

Другие IGBT... SIHU5N50D, SIHU6N62E, SIHU6N65E, SIHU7N60E, SIHW30N60E, SIHW33N60E, SIHW47N60E, SIHW73N60E, 20N50, FMB16N50E, FMB80N10T2, FMC03N60E, FMC05N50E, FMC05N60E, FMC06N60ES, FMC07N50E, FMC10N60E