FMB16N50E Todos los transistores

 

FMB16N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMB16N50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: T-PACK-SJ
 

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FMB16N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  fuji
 fmb16n50e.pdf pdf_icon

FMB16N50E

SPECIFICATIONDevice Name : Power MOSFETFMI16N50E (T-pack L)FMC16N50E (T-pack S)Type Name : FMB16N50E (T-pack SJ)Spec. No. : MS5F6867Date :July.-19-2007Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.NAMEDATE APPROVEDFuji Electric Device Technology Co., Ltd.DRAWN July.-19-'07CHECKED July.-19-'07MS5F6867 1 / 18CHECKED July.-19-'07H04-004-05This m aterial and the inform a

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History: SIHW73N60E | NTD4960N

 

 
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