FMB16N50E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMB16N50E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: T-PACK-SJ

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FMB16N50E datasheet

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FMB16N50E

SPECIFICATION Device Name Power MOSFET FMI16N50E (T-pack L) FMC16N50E (T-pack S) Type Name FMB16N50E (T-pack SJ) Spec. No. MS5F6867 Date July.-19-2007 Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. NAME DATE APPROVED Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. DRAWN July.-19-'07 CHECKED July.-19-'07 MS5F6867 1 / 18 CHECKED July.-19-'07 H04-004-05 This m aterial and the inform a

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