Справочник MOSFET. FMB16N50E

 

FMB16N50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMB16N50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: T-PACK-SJ
 

 Аналог (замена) для FMB16N50E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMB16N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  fuji
 fmb16n50e.pdf pdf_icon

FMB16N50E

SPECIFICATIONDevice Name : Power MOSFETFMI16N50E (T-pack L)FMC16N50E (T-pack S)Type Name : FMB16N50E (T-pack SJ)Spec. No. : MS5F6867Date :July.-19-2007Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.NAMEDATE APPROVEDFuji Electric Device Technology Co., Ltd.DRAWN July.-19-'07CHECKED July.-19-'07MS5F6867 1 / 18CHECKED July.-19-'07H04-004-05This m aterial and the inform a

Другие MOSFET... SIHU6N62E , SIHU6N65E , SIHU7N60E , SIHW30N60E , SIHW33N60E , SIHW47N60E , SIHW73N60E , FMA49N20T2 , CS150N03A8 , FMB80N10T2 , FMC03N60E , FMC05N50E , FMC05N60E , FMC06N60ES , FMC07N50E , FMC10N60E , FMC11N60E .

History: KDS9952A | HFD2N60F

 

 
Back to Top

 


 
.