FMB16N50E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMB16N50E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: T-PACK-SJ

Аналог (замена) для FMB16N50E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMB16N50E даташит

 ..1. Size:429K  fuji
 fmb16n50e.pdf pdf_icon

FMB16N50E

SPECIFICATION Device Name Power MOSFET FMI16N50E (T-pack L) FMC16N50E (T-pack S) Type Name FMB16N50E (T-pack SJ) Spec. No. MS5F6867 Date July.-19-2007 Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. NAME DATE APPROVED Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. DRAWN July.-19-'07 CHECKED July.-19-'07 MS5F6867 1 / 18 CHECKED July.-19-'07 H04-004-05 This m aterial and the inform a

Другие IGBT... SIHU6N62E, SIHU6N65E, SIHU7N60E, SIHW30N60E, SIHW33N60E, SIHW47N60E, SIHW73N60E, FMA49N20T2, IRF520, FMB80N10T2, FMC03N60E, FMC05N50E, FMC05N60E, FMC06N60ES, FMC07N50E, FMC10N60E, FMC11N60E