FMC10N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMC10N60E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 165 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.79 Ohm
Paquete / Cubierta: T-PACK-S
Búsqueda de reemplazo de FMC10N60E MOSFET
FMC10N60E Datasheet (PDF)
fmc10n60e.pdf

FMC10N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(S)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)
Otros transistores... FMA49N20T2 , FMB16N50E , FMB80N10T2 , FMC03N60E , FMC05N50E , FMC05N60E , FMC06N60ES , FMC07N50E , IRF520 , FMC11N60E , FMC12N50E , FMC12N50ES , FMC12N60ES , FMC13N60E , FMC13N60ES , FMC16N50E , FMC16N50ES .
History: STI11NM80 | R6015ENZ | IRF3706SPBF | HUF75639S3ST | PSMN1R5-30BLE | WVM18N20
History: STI11NM80 | R6015ENZ | IRF3706SPBF | HUF75639S3ST | PSMN1R5-30BLE | WVM18N20



Liste
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