FMC10N60E - аналоги и даташиты транзистора

 

FMC10N60E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FMC10N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.79 Ohm
   Тип корпуса: T-PACK-S
 

 Аналог (замена) для FMC10N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMC10N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:565K  fuji
 fmc10n60e.pdf pdf_icon

FMC10N60E

FMC10N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(S)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

Другие MOSFET... FMA49N20T2 , FMB16N50E , FMB80N10T2 , FMC03N60E , FMC05N50E , FMC05N60E , FMC06N60ES , FMC07N50E , IRF520 , FMC11N60E , FMC12N50E , FMC12N50ES , FMC12N60ES , FMC13N60E , FMC13N60ES , FMC16N50E , FMC16N50ES .

 

 
Back to Top

 


 
.