FMC80N10T2 Todos los transistores

 

FMC80N10T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMC80N10T2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0128 Ohm
   Paquete / Cubierta: T-PACK-S
 

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FMC80N10T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  fuji
 fmb80n10t2 fmc80n10t2 fmi80n10t2.pdf pdf_icon

FMC80N10T2

SPECIFICATIONDevice Name : Power MOSFETFMI80N10T2 (T-pack L)FMC80N10T2 (T-pack S)Type Name:FMB80N10T2 (T-pack SJ)Spec. No. :MS5F6118Date : Jun.-17-2005NAMEDATE APPROVEDFuji Electric Device Technology Co.,Ltd.DRAWN Jun.-17-'05aCHECKED Jun.-17-'05bMS5F6118 1 / 22CHECKED Jun.-17-'05H04-004-05This m aterial and the inform ation herein is the p roperty of Fuji E

Otros transistores... FMC13N60E , FMC13N60ES , FMC16N50E , FMC16N50ES , FMC16N60E , FMC16N60ES , FMC20N50E , FMC20N50ES , IRF9640 , FMH06N80E , FMH06N90E , FMH07N90E , FMH09N90E , FMH11N90E , FMH13N60ES , FMH16N50E , FMH16N50ES .

History: SL10N06A

 

 
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