FMC80N10T2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FMC80N10T2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 120 nC
trⓘ - Время нарастания: 44 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0128 Ohm
Тип корпуса: T-PACK-S
Аналог (замена) для FMC80N10T2
FMC80N10T2 Datasheet (PDF)
fmb80n10t2 fmc80n10t2 fmi80n10t2.pdf
SPECIFICATIONDevice Name : Power MOSFETFMI80N10T2 (T-pack L)FMC80N10T2 (T-pack S)Type Name:FMB80N10T2 (T-pack SJ)Spec. No. :MS5F6118Date : Jun.-17-2005NAMEDATE APPROVEDFuji Electric Device Technology Co.,Ltd.DRAWN Jun.-17-'05aCHECKED Jun.-17-'05bMS5F6118 1 / 22CHECKED Jun.-17-'05H04-004-05This m aterial and the inform ation herein is the p roperty of Fuji E
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918