FMH06N80E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMH06N80E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
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FMH06N80E Datasheet (PDF)
fmh06n80e.pdf
SPECIFICATIONDevice Name : Power MOSFETType Name : FMH06N80ESpec. No. : MS5F07479 Date : Jan.-26-2010APPROVEDDATE NAMEFuji Electric Systems Co.,Ltd.Jan./26/10DRAWNCHECKED Jan./26/10MS5F07479 1/16CHECKEDREVISIONSJan./26/10H04-004-05This material and the information herein is the property of Fuji Electric SystemsCo.,Ltd. They shall be neither reproduced,
fmh06n90e.pdf
http://www.fujisemi.comFMH06N90E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3P(Q)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate thres
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Liste
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