FMH06N80E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMH06N80E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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FMH06N80E datasheet

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FMH06N80E

SPECIFICATION Device Name Power MOSFET Type Name FMH06N80E Spec. No. MS5F07479 Date Jan.-26-2010 APPROVED DATE NAME Fuji Electric Systems Co.,Ltd. Jan./26/ 10 DRAWN CHECKED Jan./26/ 10 MS5F07479 1/16 CHECKED REVISIONS Jan./26/ 10 H04-004-05 This material and the information herein is the property of Fuji Electric Systems Co.,Ltd. They shall be neither reproduced,

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FMH06N80E

http //www.fujisemi.com FMH06N90E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate thres

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