FMH06N80E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMH06N80E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для FMH06N80E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH06N80E даташит

 ..1. Size:244K  fuji
 fmh06n80e.pdf pdf_icon

FMH06N80E

SPECIFICATION Device Name Power MOSFET Type Name FMH06N80E Spec. No. MS5F07479 Date Jan.-26-2010 APPROVED DATE NAME Fuji Electric Systems Co.,Ltd. Jan./26/ 10 DRAWN CHECKED Jan./26/ 10 MS5F07479 1/16 CHECKED REVISIONS Jan./26/ 10 H04-004-05 This material and the information herein is the property of Fuji Electric Systems Co.,Ltd. They shall be neither reproduced,

 8.1. Size:387K  fuji
 fmh06n90e.pdf pdf_icon

FMH06N80E

http //www.fujisemi.com FMH06N90E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate thres

Другие IGBT... FMC13N60ES, FMC16N50E, FMC16N50ES, FMC16N60E, FMC16N60ES, FMC20N50E, FMC20N50ES, FMC80N10T2, EMB04N03H, FMH06N90E, FMH07N90E, FMH09N90E, FMH11N90E, FMH13N60ES, FMH16N50E, FMH16N50ES, FMH16N60ES