FMH06N90E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMH06N90E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-3P-Q

 Búsqueda de reemplazo de FMH06N90E MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FMH06N90E datasheet

 ..1. Size:387K  fuji
 fmh06n90e.pdf pdf_icon

FMH06N90E

http //www.fujisemi.com FMH06N90E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate thres

 8.1. Size:244K  fuji
 fmh06n80e.pdf pdf_icon

FMH06N90E

SPECIFICATION Device Name Power MOSFET Type Name FMH06N80E Spec. No. MS5F07479 Date Jan.-26-2010 APPROVED DATE NAME Fuji Electric Systems Co.,Ltd. Jan./26/ 10 DRAWN CHECKED Jan./26/ 10 MS5F07479 1/16 CHECKED REVISIONS Jan./26/ 10 H04-004-05 This material and the information herein is the property of Fuji Electric Systems Co.,Ltd. They shall be neither reproduced,

Otros transistores... FMC16N50E, FMC16N50ES, FMC16N60E, FMC16N60ES, FMC20N50E, FMC20N50ES, FMC80N10T2, FMH06N80E, RU7088R, FMH07N90E, FMH09N90E, FMH11N90E, FMH13N60ES, FMH16N50E, FMH16N50ES, FMH16N60ES, FMH17N60ES