FMH06N90E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FMH06N90E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P-Q

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FMH06N90E

FMH06N90E Datasheet (PDF)

..1. Size:387K fuji
fmh06n90e.pdf

http://www.fujisemi.comFMH06N90E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3P(Q)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate thres

8.1. Size:244K fuji
fmh06n80e.pdf

SPECIFICATIONDevice Name : Power MOSFETType Name : FMH06N80ESpec. No. : MS5F07479 Date : Jan.-26-2010APPROVEDDATE NAMEFuji Electric Systems Co.,Ltd.Jan./26/10DRAWNCHECKED Jan./26/10MS5F07479 1/16CHECKEDREVISIONSJan./26/10H04-004-05This material and the information herein is the property of Fuji Electric SystemsCo.,Ltd. They shall be neither reproduced,

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