FMH06N90E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FMH06N90E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO-3P-Q
Аналог (замена) для FMH06N90E
FMH06N90E Datasheet (PDF)
fmh06n90e.pdf

http://www.fujisemi.comFMH06N90E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3P(Q)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate thres
fmh06n80e.pdf

SPECIFICATIONDevice Name : Power MOSFETType Name : FMH06N80ESpec. No. : MS5F07479 Date : Jan.-26-2010APPROVEDDATE NAMEFuji Electric Systems Co.,Ltd.Jan./26/10DRAWNCHECKED Jan./26/10MS5F07479 1/16CHECKEDREVISIONSJan./26/10H04-004-05This material and the information herein is the property of Fuji Electric SystemsCo.,Ltd. They shall be neither reproduced,
Другие MOSFET... FMC16N50E , FMC16N50ES , FMC16N60E , FMC16N60ES , FMC20N50E , FMC20N50ES , FMC80N10T2 , FMH06N80E , MMD60R360PRH , FMH07N90E , FMH09N90E , FMH11N90E , FMH13N60ES , FMH16N50E , FMH16N50ES , FMH16N60ES , FMH17N60ES .
History: VN1206N5 | APT1201R4BLL
History: VN1206N5 | APT1201R4BLL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166