FMH06N90E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMH06N90E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-3P-Q

Аналог (замена) для FMH06N90E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH06N90E даташит

 ..1. Size:387K  fuji
 fmh06n90e.pdf pdf_icon

FMH06N90E

http //www.fujisemi.com FMH06N90E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate thres

 8.1. Size:244K  fuji
 fmh06n80e.pdf pdf_icon

FMH06N90E

SPECIFICATION Device Name Power MOSFET Type Name FMH06N80E Spec. No. MS5F07479 Date Jan.-26-2010 APPROVED DATE NAME Fuji Electric Systems Co.,Ltd. Jan./26/ 10 DRAWN CHECKED Jan./26/ 10 MS5F07479 1/16 CHECKED REVISIONS Jan./26/ 10 H04-004-05 This material and the information herein is the property of Fuji Electric Systems Co.,Ltd. They shall be neither reproduced,

Другие IGBT... FMC16N50E, FMC16N50ES, FMC16N60E, FMC16N60ES, FMC20N50E, FMC20N50ES, FMC80N10T2, FMH06N80E, RU7088R, FMH07N90E, FMH09N90E, FMH11N90E, FMH13N60ES, FMH16N50E, FMH16N50ES, FMH16N60ES, FMH17N60ES