FMH07N90E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMH07N90E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 145 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO-3P-Q

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FMH07N90E datasheet

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FMH07N90E

http //www.fujisemi.com FMH07N90E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate thres

 ..2. Size:233K  inchange semiconductor
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FMH07N90E

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH07N90E FEATURES Drain Current I = 7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.0 (Max) DS(on) Fast Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC co

Otros transistores... FMC16N50ES, FMC16N60E, FMC16N60ES, FMC20N50E, FMC20N50ES, FMC80N10T2, FMH06N80E, FMH06N90E, MMIS60R580P, FMH09N90E, FMH11N90E, FMH13N60ES, FMH16N50E, FMH16N50ES, FMH16N60ES, FMH17N60ES, FMH19N60E