FMH07N90E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMH07N90E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-3P-Q

Аналог (замена) для FMH07N90E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH07N90E даташит

 ..1. Size:346K  fuji
 fmh07n90e.pdf pdf_icon

FMH07N90E

http //www.fujisemi.com FMH07N90E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate thres

 ..2. Size:233K  inchange semiconductor
 fmh07n90e.pdf pdf_icon

FMH07N90E

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH07N90E FEATURES Drain Current I = 7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.0 (Max) DS(on) Fast Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC co

Другие IGBT... FMC16N50ES, FMC16N60E, FMC16N60ES, FMC20N50E, FMC20N50ES, FMC80N10T2, FMH06N80E, FMH06N90E, MMIS60R580P, FMH09N90E, FMH11N90E, FMH13N60ES, FMH16N50E, FMH16N50ES, FMH16N60ES, FMH17N60ES, FMH19N60E