Справочник MOSFET. FMH07N90E

 

FMH07N90E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FMH07N90E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P-Q

 Аналог (замена) для FMH07N90E

 

 

FMH07N90E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  fuji
 fmh07n90e.pdf

FMH07N90E FMH07N90E

http://www.fujisemi.comFMH07N90E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3P(Q)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate thres

 ..2. Size:233K  inchange semiconductor
 fmh07n90e.pdf

FMH07N90E FMH07N90E

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH07N90EFEATURESDrain Current I = 7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.0(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC co

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SIHF830

 

 
Back to Top