FMH11N90E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMH11N90E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 285 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO-3P-Q

 Búsqueda de reemplazo de FMH11N90E MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FMH11N90E datasheet

 ..1. Size:473K  fuji
 fmh11n90e.pdf pdf_icon

FMH11N90E

FMH11N90E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.0 0.5V)

Otros transistores... FMC16N60ES, FMC20N50E, FMC20N50ES, FMC80N10T2, FMH06N80E, FMH06N90E, FMH07N90E, FMH09N90E, AO4407A, FMH13N60ES, FMH16N50E, FMH16N50ES, FMH16N60ES, FMH17N60ES, FMH19N60E, FMH19N60ES, FMH20N50E