Справочник MOSFET. FMH11N90E

 

FMH11N90E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMH11N90E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 285 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P-Q
 

 Аналог (замена) для FMH11N90E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH11N90E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:473K  fuji
 fmh11n90e.pdf pdf_icon

FMH11N90E

FMH11N90E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3P(Q)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.00.5V)

Другие MOSFET... FMC16N60ES , FMC20N50E , FMC20N50ES , FMC80N10T2 , FMH06N80E , FMH06N90E , FMH07N90E , FMH09N90E , AO3407 , FMH13N60ES , FMH16N50E , FMH16N50ES , FMH16N60ES , FMH17N60ES , FMH19N60E , FMH19N60ES , FMH20N50E .

History: STP80NF10 | SIHP11N80E | WCM2068 | 4N80 | IPI80N06S4-07 | IPN70R360P7S | KU054N03D

 

 
Back to Top

 


 
.