FMH11N90E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMH11N90E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 285 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-3P-Q

Аналог (замена) для FMH11N90E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH11N90E даташит

 ..1. Size:473K  fuji
 fmh11n90e.pdf pdf_icon

FMH11N90E

FMH11N90E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.0 0.5V)

Другие IGBT... FMC16N60ES, FMC20N50E, FMC20N50ES, FMC80N10T2, FMH06N80E, FMH06N90E, FMH07N90E, FMH09N90E, AO4407A, FMH13N60ES, FMH16N50E, FMH16N50ES, FMH16N60ES, FMH17N60ES, FMH19N60E, FMH19N60ES, FMH20N50E