FMH13N60ES Todos los transistores

 

FMH13N60ES MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMH13N60ES
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P-Q
 

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FMH13N60ES Datasheet (PDF)

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FMH13N60ES

FMH13N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3P(Q)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.20.5V

Otros transistores... FMC20N50E , FMC20N50ES , FMC80N10T2 , FMH06N80E , FMH06N90E , FMH07N90E , FMH09N90E , FMH11N90E , AO4468 , FMH16N50E , FMH16N50ES , FMH16N60ES , FMH17N60ES , FMH19N60E , FMH19N60ES , FMH20N50E , FMH20N50ES .

History: IRF6218 | IPF13N03LAG | SVT085R5NT | SL2102 | IXFP36N20X3 | NCE30H12

 

 
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