FMH13N60ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FMH13N60ES
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
Тип корпуса: TO-3P-Q
Аналог (замена) для FMH13N60ES
FMH13N60ES Datasheet (PDF)
fmh13n60es.pdf

FMH13N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3P(Q)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.20.5V
Другие MOSFET... FMC20N50E , FMC20N50ES , FMC80N10T2 , FMH06N80E , FMH06N90E , FMH07N90E , FMH09N90E , FMH11N90E , AO4468 , FMH16N50E , FMH16N50ES , FMH16N60ES , FMH17N60ES , FMH19N60E , FMH19N60ES , FMH20N50E , FMH20N50ES .
History: SP8009E | IXFK64N60P3 | STB20NM60D | NTMFS5H610NL | GSM4946W
History: SP8009E | IXFK64N60P3 | STB20NM60D | NTMFS5H610NL | GSM4946W



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771