FMH30N60S1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMH30N60S1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4670 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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FMH30N60S1 datasheet

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FMH30N60S1

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FMH30N60S1 FUJI POWER MOSFET Super J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Low on-state resistance 3.2 0.1 TO-3P 15.5max 13 0.2 1.5 0.2 Low switching loss 10 0.2 4.5 0.2 easy to use (more controllabe switching dV/dt by R ) g Drain(D) Applications

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FMH30N60S1

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH30N60S1FD FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drai

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