Справочник MOSFET. FMH30N60S1

 

FMH30N60S1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FMH30N60S1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 73 nC
   trⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4670 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P

 Аналог (замена) для FMH30N60S1

 

 

FMH30N60S1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  fuji
 fmh30n60s1.pdf

FMH30N60S1 FMH30N60S1

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMH30N60S1 FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicLow on-state resistance 3.2 0.1TO-3P15.5max13 0.2 1.50.2Low switching loss10 0.2 4.50.2easy to use (more controllabe switching dV/dt by R )gDrain(D)Applications

 0.1. Size:257K  inchange semiconductor
 fmh30n60s1fd.pdf

FMH30N60S1 FMH30N60S1

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH30N60S1FDFEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drai

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top