Справочник MOSFET. FMH30N60S1

 

FMH30N60S1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMH30N60S1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4670 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH30N60S1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  fuji
 fmh30n60s1.pdf pdf_icon

FMH30N60S1

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMH30N60S1 FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicLow on-state resistance 3.2 0.1TO-3P15.5max13 0.2 1.50.2Low switching loss10 0.2 4.50.2easy to use (more controllabe switching dV/dt by R )gDrain(D)Applications

 0.1. Size:257K  inchange semiconductor
 fmh30n60s1fd.pdf pdf_icon

FMH30N60S1

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH30N60S1FDFEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drai

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SIHF644S | SI7148DP | HSP0024A | 2SK2707 | SL2302M | CL616BA | SFF50N20P

 

 
Back to Top

 


 
.