FMI11N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FMI11N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: T-PACK-L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FMI11N60E

FMI11N60E Datasheet (PDF)

..1. Size:570K fuji
fmi11n60e.pdf

FMI11N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(L)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

Otros transistores... FMH30N60S1 , FMH47N60S1 , FMI03N60E , FMI05N50E , FMI05N60E , FMI06N60ES , FMI07N50E , FMI10N60E , AON6414A , FMI12N50E , FMI12N50ES , FMI12N60ES , FMI13N60E , FMI13N60ES , FMI16N50E , FMI16N50ES , FMI16N60E .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: