FMI11N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMI11N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: T-PACK-L

Аналог (замена) для FMI11N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMI11N60E даташит

 ..1. Size:570K  fuji
 fmi11n60e.pdf pdf_icon

FMI11N60E

FMI11N60E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise T-Pack(L) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

Другие IGBT... FMH30N60S1, FMH47N60S1, FMI03N60E, FMI05N50E, FMI05N60E, FMI06N60ES, FMI07N50E, FMI10N60E, 10N60, FMI12N50E, FMI12N50ES, FMI12N60ES, FMI13N60E, FMI13N60ES, FMI16N50E, FMI16N50ES, FMI16N60E