FMI20N50ES Todos los transistores

 

FMI20N50ES MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMI20N50ES
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: T-PACK-L
 

 Búsqueda de reemplazo de FMI20N50ES MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FMI20N50ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:497K  fuji
 fmi20n50es.pdf pdf_icon

FMI20N50ES

FMI20N50ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack (L)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.20.

 5.1. Size:365K  fuji
 fmi20n50e.pdf pdf_icon

FMI20N50ES

FMI20N50E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(L)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

Otros transistores... FMI12N60ES , FMI13N60E , FMI13N60ES , FMI16N50E , FMI16N50ES , FMI16N60E , FMI16N60ES , FMI20N50E , 8205A , FMI80N10T2 , FML12N50ES , FML12N60ES , FML13N60ES , FML16N50ES , FML16N60ES , FML20N50ES , FS100KMJ-03F .

History: PJA3434 | JMTN330N06A | JMTN11DN10A | IXTT40N50L2 | JMTM300C02D

 

 
Back to Top

 


 
.