FMI20N50ES. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMI20N50ES

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm

Тип корпуса: T-PACK-L

Аналог (замена) для FMI20N50ES

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMI20N50ES даташит

 ..1. Size:497K  fuji
 fmi20n50es.pdf pdf_icon

FMI20N50ES

FMI20N50ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise T-Pack (L) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.2 0.

 5.1. Size:365K  fuji
 fmi20n50e.pdf pdf_icon

FMI20N50ES

FMI20N50E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise T-Pack(L) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

Другие IGBT... FMI12N60ES, FMI13N60E, FMI13N60ES, FMI16N50E, FMI16N50ES, FMI16N60E, FMI16N60ES, FMI20N50E, 2SK3878, FMI80N10T2, FML12N50ES, FML12N60ES, FML13N60ES, FML16N50ES, FML16N60ES, FML20N50ES, FS100KMJ-03F