FMI80N10T2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMI80N10T2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0128 Ohm

Encapsulados: T-PACK-L

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FMI80N10T2 datasheet

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FMI80N10T2

SPECIFICATION Device Name Power MOSFET FMI80N10T2 (T-pack L) FMC80N10T2 (T-pack S) Type Name FMB80N10T2 (T-pack SJ) Spec. No. MS5F6118 Date Jun.-17-2005 NAME DATE APPROVED Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. DRAWN Jun.-17-'05 a CHECKED Jun.-17-'05 b MS5F6118 1 / 22 CHECKED Jun.-17-'05 H04-004-05 This m aterial and the inform ation herein is the p roperty of Fuji E

Otros transistores... FMI13N60E, FMI13N60ES, FMI16N50E, FMI16N50ES, FMI16N60E, FMI16N60ES, FMI20N50E, FMI20N50ES, STP75NF75, FML12N50ES, FML12N60ES, FML13N60ES, FML16N50ES, FML16N60ES, FML20N50ES, FS100KMJ-03F, FS100UMJ-03F