Справочник MOSFET. FMI80N10T2

 

FMI80N10T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMI80N10T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0128 Ohm
   Тип корпуса: T-PACK-L
 

 Аналог (замена) для FMI80N10T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMI80N10T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  fuji
 fmb80n10t2 fmc80n10t2 fmi80n10t2.pdf pdf_icon

FMI80N10T2

SPECIFICATIONDevice Name : Power MOSFETFMI80N10T2 (T-pack L)FMC80N10T2 (T-pack S)Type Name:FMB80N10T2 (T-pack SJ)Spec. No. :MS5F6118Date : Jun.-17-2005NAMEDATE APPROVEDFuji Electric Device Technology Co.,Ltd.DRAWN Jun.-17-'05aCHECKED Jun.-17-'05bMS5F6118 1 / 22CHECKED Jun.-17-'05H04-004-05This m aterial and the inform ation herein is the p roperty of Fuji E

Другие MOSFET... FMI13N60E , FMI13N60ES , FMI16N50E , FMI16N50ES , FMI16N60E , FMI16N60ES , FMI20N50E , FMI20N50ES , 12N60 , FML12N50ES , FML12N60ES , FML13N60ES , FML16N50ES , FML16N60ES , FML20N50ES , FS100KMJ-03F , FS100UMJ-03F .

 

 
Back to Top

 


 
.