Справочник MOSFET. FMI80N10T2

 

FMI80N10T2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FMI80N10T2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 270 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 120 nC

Время нарастания (tr): 44 ns

Выходная емкость (Cd): 740 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0128 Ohm

Тип корпуса: T-PACK-L

Аналог (замена) для FMI80N10T2

 

 

FMI80N10T2 Datasheet (PDF)

1.1. fmb80n10t2 fmc80n10t2 fmi80n10t2.pdf Size:458K _upd-mosfet

FMI80N10T2
FMI80N10T2

SPECIFICATION Device Name : Power MOSFET FMI80N10T2 (T-pack L) FMC80N10T2 (T-pack S) Type Name: FMB80N10T2 (T-pack SJ) Spec. No. : MS5F6118 Date : Jun.-17-2005 NAME DATE APPROVED Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. DRAWN Jun.-17-'05 a CHECKED Jun.-17-'05 b MS5F6118 1 / 22 CHECKED Jun.-17-'05 H04-004-05 This m aterial and the inform ation herein is the p roperty of Fuji E

1.2. fmb80n10t2 fmc80n10t2 fmi80n10t2.pdf Size:458K _fuji

FMI80N10T2
FMI80N10T2

SPECIFICATION Device Name : Power MOSFET FMI80N10T2 (T-pack L) FMC80N10T2 (T-pack S) Type Name: FMB80N10T2 (T-pack SJ) Spec. No. : MS5F6118 Date : Jun.-17-2005 NAME DATE APPROVED Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. DRAWN Jun.-17-'05 a CHECKED Jun.-17-'05 b MS5F6118 1 / 22 CHECKED Jun.-17-'05 H04-004-05 This m aterial and the inform ation herein is the p roperty of Fuji E

 

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top