FMI80N10T2 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги FMI80N10T2. Основные параметры


   Наименование производителя: FMI80N10T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0128 Ohm
   Тип корпуса: T-PACK-L
 

 Аналог (замена) для FMI80N10T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMI80N10T2 даташит

 ..1. Size:458K  fuji
 fmb80n10t2 fmc80n10t2 fmi80n10t2.pdf pdf_icon

FMI80N10T2

SPECIFICATION Device Name Power MOSFET FMI80N10T2 (T-pack L) FMC80N10T2 (T-pack S) Type Name FMB80N10T2 (T-pack SJ) Spec. No. MS5F6118 Date Jun.-17-2005 NAME DATE APPROVED Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. DRAWN Jun.-17-'05 a CHECKED Jun.-17-'05 b MS5F6118 1 / 22 CHECKED Jun.-17-'05 H04-004-05 This m aterial and the inform ation herein is the p roperty of Fuji E

Другие MOSFET... FMI13N60E , FMI13N60ES , FMI16N50E , FMI16N50ES , FMI16N60E , FMI16N60ES , FMI20N50E , FMI20N50ES , STP75NF75 , FML12N50ES , FML12N60ES , FML13N60ES , FML16N50ES , FML16N60ES , FML20N50ES , FS100KMJ-03F , FS100UMJ-03F .

History: JMSL1018AUQ | AGM15N10D | AGM303MNA | STN4426 | AGM18N20H | STN4438

 

 
Back to Top

 


 
.