IRLIZ14A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLIZ14A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm

Encapsulados: TO262

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IRLIZ14A datasheet

 ..1. Size:346K  1
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IRLIZ14A

 7.1. Size:1073K  international rectifier
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IRLIZ14A

PD- 95655 IRLIZ14GPbF Lead-Free 7/26/04 Document Number 91315 www.vishay.com 1 IRLIZ14GPbF Document Number 91315 www.vishay.com 2 IRLIZ14GPbF Document Number 91315 www.vishay.com 3 IRLIZ14GPbF Document Number 91315 www.vishay.com 4 IRLIZ14GPbF Document Number 91315 www.vishay.com 5 IRLIZ14GPbF Document Number 91315 www.vishay.com 6 IRLIZ14GPbF Peak Diode Re

 7.2. Size:171K  international rectifier
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IRLIZ14A

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IRLIZ14A

IRLIZ14G, SiHLIZ14G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.20 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 8.4 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 3.5 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 6.

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