IRLIZ14A Todos los transistores

 

IRLIZ14A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLIZ14A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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IRLIZ14A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  1
 irlw14a irliz14a.pdf pdf_icon

IRLIZ14A

 7.1. Size:1073K  international rectifier
 irliz14gpbf.pdf pdf_icon

IRLIZ14A

PD- 95655IRLIZ14GPbF Lead-Free7/26/04Document Number: 91315 www.vishay.com1IRLIZ14GPbFDocument Number: 91315 www.vishay.com2IRLIZ14GPbFDocument Number: 91315 www.vishay.com3IRLIZ14GPbFDocument Number: 91315 www.vishay.com4IRLIZ14GPbFDocument Number: 91315 www.vishay.com5IRLIZ14GPbFDocument Number: 91315 www.vishay.com6IRLIZ14GPbFPeak Diode Re

 7.2. Size:171K  international rectifier
 irliz14g.pdf pdf_icon

IRLIZ14A

 7.3. Size:1637K  vishay
 irliz14g sihliz14g.pdf pdf_icon

IRLIZ14A

IRLIZ14G, SiHLIZ14GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.20f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 8.4 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 3.5 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 6.

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History: BUZ900P

 

 
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